《各報要聞》台積電16奈米商機，蓄勢待發

2013/10/07 07:34   《各報要聞》台積電16奈米商機，蓄勢待發

【時報-台北電】台積電(2330)開放創新平台生態論壇（TSMC OIP Ecosystem Forum）上周在美國聖荷西（S
an Jose）登場，台積電技術長孫元成會中指出，台積電20奈米已進入生產階段，超過25個晶片完成設計定案
（tape-out）。
　　同時，預計2015年進入量產的16奈米已有逾30個晶片設計案到手，明年20奈米產能拉升（ramp up）速度
及獲得的設計案將優於28奈米。

　　此次台積電董事長張忠謀並未參加論壇，是以錄影對與會合作夥伴及客戶發表演說。張忠謀表示，看到
更多的機會，但要爭取機會之窗已愈來愈小，未來須面對的產業壓力包括更多的投資、更大的複雜度等，需
要用專業去解決這些問題。張忠謀期許台積電及合作夥伴彼此之間要更具競爭力，才能在這場戰役中去贏得
勝利。
　　此次論壇已有客戶表明將導入台積電20奈米及16奈米，包括甲骨文（Oracle）開發的超級伺服器處理器
SPARC M7、賽靈思（Xilinx）新一代可程式邏輯閘陣列（FPGA）、阿爾特拉（Altera）最新傳輸晶片、以及
高通的手機晶片等。當然業界也指出，蘋果A7及A8系列64位元ARM架構應用處理器，同樣採用台積電20奈米或
16奈米投片生產。
　　台積電20奈米是首次採用雙重曝光（double patterning）微影技術的新製程，設計流程與28奈米大不相
同，不同於28奈米世代針對不同的晶片提供4種不同製程，20奈米僅提供1種系統單晶片製程（20SoC），16奈
米也只提供1種鰭式場效電晶體（FinFET）製程。
　　根據台積電提供資料，20奈米閘極密度是28奈米的1.9倍，在相同功耗下運算速度可增加15％，在相同速
度下功耗可降低30％，且展示的112M高密度靜態隨機存取記憶體（HD SRAM）自然良率（nature yield）已大
於75％。
　　台積電16奈米研發已經完成，11月將開始進行風險生產，明年底前完成產能建置後，2015年初進入量產
階段。台積電16奈米是首次將電晶體改為3D架構，閘極密度是28奈米的2倍，相較於20奈米製程，在相同功耗
下可再提升20％速度，在相同速度及類似的閘極密度下可再減少35％功耗，試投的128M大電流靜態隨機存取
記憶體（HC SRAM）自然良率同樣大於75％。（新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導）



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資訊來源:時報資訊公司

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科技新進展
其實為什麼要越做越小
是為了低功耗 還有就是晶片或零件可以越做越小
台積電 技術真好
期待8奈米