上櫃首日，F-IET大漲近4成

2013/07/24 11:47   《其他電子》上櫃首日，F-IET大漲近4成

【時報記者張漢綺台北報導】III-V族半導體磊晶廠－F-IET（英特磊）（4971）今天以55元上櫃掛牌，由於
F-IET以高分子磊晶技術（MBE）著稱，產品具獨特性，今天掛牌首日股價強勢大漲，盤中最高漲幅達36.36%
。

　F-IET主要業務為III-V族化合物半導體磊晶片專業代工生產，生產基地主要位於美國德州。由於III-V族半
導體具有高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性，可應用在無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途，以
及在太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品上，而F-IET所生產的產品包括砷化鎵高頻磊晶片（GaA
s pHEMT）、磷化銦高頻磊晶片（InP HBT）、銻化鎵紅外線磊晶片（GaSb, T2SLS）、以及光電磊晶片用於面
射型雷射（VCSEL）與光接收器（PIN, APD），產品具獨特性，讓F-IET受到市場矚目。
　F-IET目前主要客戶均為世界一級大廠，包含國際量測大廠、手機晶片大廠、日本光電元件大廠等，也讓公
司近3年業績穩定成長，過去3年營收分別為3.82億元、5.22億元及5.58億元，淨利分別為0.61億元、0.87億
元及1.17億元。公司也於2012年與世界級高頻量測設備大廠美商A公司，簽定5年數億元獨家供貨合約，業績
後市看好。



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資訊來源:時報資訊公司