日新月異!DDR4來了

英特爾年底前將推支援DDR4的Haswell-E處理器平台，預期記憶體將改朝換代。
三星、SK海力士已小量生產，國內美光陣營的華亞科、台灣美光記憶體年底量產。
模組廠包括金士頓、威剛、宇瞻已搶先推出DDR4模組，相關電腦產品明年問世。

自2007年DDR3（Double-Data-Rate 3，第3代雙倍資料傳輸）記憶體成電腦設備標準後，目前逐漸無法滿足工業與商業應用效能需求。
電子設備工程聯合委員會JEDEC在2012年制定出下一代DDR4 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）。
DDR4時脈從2133MHz起跳，最高達3200MHz，操作電壓降到1.2伏特，有更高效能、更低功耗。

國際DRAM廠中，三星、SK海力士已推出多時，並持續小量生產中。
三星日前更宣布開始量產業界首見的TSV*註1（Through-Silicon Via，直通矽穿孔）封裝的DDR4，搶攻高階應用。
而美光也已發表DDR4，但考量市場沒有需求，並沒有正式量產，旗下華亞科、台灣美光記憶體將在年底進入量產。



註1
TSV技術:
3D ICTSV技術是一種三圍立體晶片堆疊封裝的技術，為能使用Moore"s law演進繼續延伸的晶片互連技術。
此技術可像三明治一樣的堆疊起數片晶片，已達成將數片晶片之訊號及電力相互連接的三圍垂直堆疊封裝。
3D TSV技術垂直堆疊技術使晶片由2D平面佈局演進至3D垂直堆疊佈局。


取材自
http://www.nownews.com/n/2014/09/01/1394690
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20140903/36061279/DRAM%E6%96%B0%E6%99%82%E4%BB%A3DDR4%E4%BE%86%E4%BA%86
http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%A1%85%E7%A9%BF%E5%AD%94