入門有甲可超！AITC INNOVATOR DDR4 16GB 3200MHz 記憶體開箱測試 / 黑白無燈電競雙色

加好友 · 發表於 2026-7-1 09:02

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2026-7-1 09:00 上傳

這陣子 AI 市場依然火爆，記憶體 DRAM 行情持居高位，對於高性價 PC組機的 DIY 玩家，若想暢玩遊戲兼辦公，選用 DDR5 / DDR4 記憶體，可謂重要考量點；加上近期 AMD Ryzen7 5800X3D 的十週年復出，以及市售 5500X3D，還有 Intel LGA 1700 的 Raptor Lake Next 復歸消息來看，DDR4 確實可入門考慮；因此不妨參考，艾格創新科技 AITC 帶來的「INNOVATOR DDR4」電競記憶體，具備 3200MT/s 超頻時脈，搭配黑白雙色的鋁製散熱裝甲，以及 8GB、16GB / 32GB 多種容量組合，為玩家提供無光有甲的 DDR4入門新選擇。

規格
產品型號：KSD48 / 16 / 32G32C16INV
配色款式：白色 / 黑色
記憶體容量：
單通道包裝 8、16、32GB
雙通道包裝16GB ( 2 x 8GB)、32GB ( 2 x 16GB)
記憶體時脈：3200 MT/s
記憶體時序：CL 16-20-20-40
記憶體規格：DDR4 UDIMM、288-Pin
記憶體電壓：1.2V (JEDEC)、1.35V (XMP)
超頻設定檔：Intel XMP 2.0
保固：終身保固

INNOVATOR DDR4 3200MHz記憶體開箱 / 電競黑白裝甲、多種CL與容量組合

專精記憶體與DIY零組件的艾格創新科技 AITC，鎖定電競玩家推出「INNOVATOR DDR4」記憶體系列，以無光有甲姿態，帶來黑白俐落的鋁製散熱裝甲，搭配終身保固，打造低調耐看，兼具效能的入門超頻記憶體。

記憶體規格，分有 8GB / 16GB / 32GB 容量組合，皆提供單包裝、雙通道 2 根包裝，僅單根 32GB 部分，無雙通包裝；其中記憶體超頻時脈，統一為 3200MHz ( MT/s)；其次規格參數，則有著CL 16 / 18 / 19 / 22 四種時序版本，並設有白 / 黑雙色款式，可供玩家選擇。

而筆者手中的開箱款式為 INNOVATOR DDR4 3200MHz 16GB ( 2 x 8GB) 白色款，其時序CL 16-20-20-40、工作電壓 1.35V，通過 Intel XMP 2.0 超頻設定檔認證；玩家只需於主機板 BIOS 中，啟用 XMP 超頻設定，即可輕鬆套用超頻參數。

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↑ 開箱 INNOVATOR DDR4 8GB / 16GB 3200MHz，分有單 / 雙通道包裝、黑白兩種配色。

外包裝部分，單根 / 雙通道在盒裝與視覺設計上，皆各有不同；雙通道包裝，以簡易大標 GAMING、Meomry Mdoule 字樣，搭配各款記憶體模組打底，凸顯本家的電競特色；並標有終身保固、註冊QR-Code 等友善提醒，以及觀景窗口，方便玩家開箱時先註冊保固。

而單根包裝，正背面皆開有觀景窗口，方便確認配色與容量款式，並採用紅黑幾何視覺，搭配相同 GAMING 字樣，以及終身保固標示。

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↑ 單根包裝，正背面開有觀景窗；搭配紅黑幾何視覺，標示終身保固與廠商資訊。

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↑ 雙通道包裝，僅背面開有觀景窗；搭配記憶體視覺大底、RMA註冊二維碼與廠商資訊。

此外，由於單根包裝的內盒設計，並無蓋子加固；因此在開箱時，建議將正面的觀景窗面朝上方，再抽取出記憶體，可確保安全無誤；而雙通道包裝，內盒則設有蓋子加固，取出時相對方便。

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↑ 單根包裝，內盒無蓋子設計，開箱時需稍加留意。

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↑ 雙通道包裝，內盒有蓋子加固，取出方便無顧慮。

本體登場！INNOVATOR DDR4 3200MHz，採用金屬磨砂紋理的鋁製散熱片，搭配內置的導熱膠墊，可快速將熱源傳導，透過機殼風流散熱；整體外觀上，有著黑 Black、白 White 兩種素色烤漆，搭配俐落的灰色線條，以及手寫 Power by AITC創意字樣，作視覺點綴；

而散熱片背面，也貼有記憶體型號的容量、時脈與配色等規格標示；並且側面可見，8GB / 16GB版本，記憶體組態各別採用單 / 雙面顆粒、1R / 2 R (Rank) 布局。

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↑ INNOVATOR DDR4，白色款展示。

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↑ INNOVATOR DDR4，黑色款展示。

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↑ 背面標有記憶體型號的時脈、容量與配色等規格。

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↑ 8GB版本，採單面顆粒與 1R (1 Rank) 布局。

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↑ 16GB版本，採雙面顆粒與 2R (2 Rank) 布局。

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↑ 記憶體頂部，搭配 KINGSMAN GAMING字樣點綴。

實機組裝方面，使用直尺量測粗估，記憶體高度約 35mm 以內，即使搭配風冷散熱器，甚至厚實的雙塔雙風扇款式，皆可保有良好相容性。

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↑ 直尺量測，記憶體高度約 35mm。

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↑ INNOVATOR DDR4 組裝展示 1；白 White 配色。

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↑ INNOVATOR DDR4 組裝展示 2；白 White 配色。

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↑ INNOVATOR DDR4 組裝展示 3；黑 Black 配色。

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↑ INNOVATOR DDR4 組裝展示 4；黑 Black 配色。

INNOVATOR DDR4 3200MHz 16GB x 2 性能測試 / 手超實用 3600MHz、可達 4000MHz

性能實測環節，會先套用 XMP 超頻設定檔，即時脈 3200MHz、時序 CL 16-20-20-40、電壓 1.35V 參數下，使用 AIDA64、OCCT、Peforman Test 等測試軟體，觀察記憶體性能；而手動超頻部分，則以 AIDA64 記憶體測試為主，並製成圖表資訊，供各位玩家參閱。

主要硬體，將以筆者開箱的雙通道包裝 INNOVATOR DDR4 3200MHz 16GB x 2 這組記憶體，搭配處理器 AMD Ryzen 7 5700X、主機板 ASUS ROG Crosshair VIII Dark Hero，以及顯示卡 RTX 5070 FE，進行實機測試。

測試平台
處理器：AMD Ryzen 7 5700X
主機板：ROG Crosshair VIII Dark Hero
記憶體：INNOVATOR DDR4 3200MHz 32GB ( 2 x 16GB )
顯示卡：NVIDIA GeForce RTX 5070 FE
系統碟：T-FORCE CARDEA IOPS 1TB
電源供應器：MSI MAG A1200PLS PCIE5
測試環境：開放式機架、BIOS設定開啟 XMP 超頻
作業系統：Windows 11 25H2

實測前置，自然得先啟用 XMP 超頻設定檔；其開啟方法，玩家只需在剛開機時，連按 Del 鍵，進入 BIOS 介面中；即可於 EZ Mode、進階模式下，找到對應 XMP 啟用選項。

而筆者套用的 XMP參數為記憶體時脈 3200MHz、時序 CL 16-20-20-40、1.35V ；並保持記憶體時脈與 IF總線時脈比率為 1 : 1，即 MCLK : FCLK。

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↑ 進階模式，開啟 XMP 超頻設定。

同時透過主板BIOS的 SPD 工具檢視，INNOVATOR DDR4型號為 KSD416G32C16INV，預設 JEDEC標準時脈 2666MHz， XMP超頻設定檔則是 3200MHz；再進系統用 CPU-Z 確認，可見記憶體已套用 XMP 超頻設定 DDR4 3200MHz、CL 16-20-20-40、1.35V 電壓開機。

此外，也透過 Thaiphoon Bumer工具，查閱記憶體顆組態與顆粒資訊；顯示為雙面顆粒排列、2 Rank 布局，並採用海力士記憶體顆粒，型號 H5AN8G8N?[F/J]R-VKC。

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↑ BIOS / 工具 SPD。

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↑ CPU-Z。

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↑ Thaiphoon Bumer。

首先 AIDA64 記憶體性能測試，INNOVATOR DDR4 16GB x 2 在 3200MHz、CL 16-20-20-40 這組 XMP 參數下，有著記憶體讀取 44969 MB/s、寫入 25597 MB/s、複製 42912 MB/s、延遲 68.8ns；其次 OCCT 記憶體測試，延遲 86.55ns、讀取 37.89 GiB/s、寫入 24.37 GiB/s。

而 Ryzen 5000系處理器，在記憶體讀取部分，速度偏低屬正常現象；簡單來說，是由於該系列 8 核心含以下，處理器內部僅使用 1 顆 CCD 晶片關係，使得記憶體寫入頻寬減半。

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↑ AIDA64 記憶體測試。

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↑ OCCT Benchmark。

在同樣設定下，使用 Performance Test Memory Mark 記憶體測試，過程包含有快取與非快取的讀寫、延遲、執行讀取，還有資料庫操作等性能測試；測試成績，以分數呈現結果，並與自家資料庫比對，再附上效能百分比數值，給予玩家參考。

INNOVATOR DDR4 3200MHz 16GB x 2，Memory Mark 成績達 3362 分、78% 領先幅度。

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↑ Performance Test Memory Mark 記憶體測試。

手動超頻方面，這對 INNOVATOR DDR4 16GB x 2白色款，在不動時序 CL 前提下，無法超頻至 3600MHz；因此在XMP CL 16-20-20-40 1.35V 參數基礎，稍放寬時序與電壓，即可超頻至 3600MHz，最高達 4000MHz時脈；皆能符合 AMD AM4平台，即 Ryzen 5000 系列的記憶體甜蜜帶。

並透過 AIDA64 記憶體測試，分別在 3600MHz CL16-22-22-36 1.35V 參數設定下，可達記憶體讀取 50137 MB/s、寫入 28796 MB/s、複製 46158 MB/s、延遲為 64.5 ns的效能提升。

而 4000MHz CL 20-26-26-48 1.4V這組參數，讀寫效能進一步升至，記憶體讀取 52189 MB/s、寫入 31117 MB/s、複製 49223 MB/s，延遲則為 67.4 ns。

這裡性能對比圖，也加入 JEDEC 原生參數、前面測試 XMP 超頻設定檔的記憶體成績，方便各位參考與對照。

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