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2013/11/12 13:28 《科技》Q3全球DRAM營收季增9%，寡占三強得利
【時報記者沈培華台北報導】隨著DRAM市場結構面改善，全球第三季記憶體產值93億美元，比第二季續攀升
9%，龍頭三星成長逾二成最亮眼。DRAM產業走入三強寡占型態，三星、海力士、美光第三季業績持續成長。
根據市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，雖然第三季記憶體價格漲幅不若
上半年凌厲，但受惠於DRAM整體結構面的大幅改善，第三季全球DRAM總營收仍有9%的季成長，更持續推升DR
AM供應商的獲利能力；主要三大DRAM廠營業利益(operating margin)季增長約達2%，其中差異點主要取決標
準型記憶體的產出多寡。
TrendForce研究協理吳雅婷表示，以兩大韓系廠商為例，由於第三季標準型記憶體漲幅高於行動式記憶體
，SK海力士標準型記憶體產出比重較大下，其營業利益來到34%，且連續兩個季度超過三星半導體。原本預估
下半年DRAM價格走勢將受到需求疲弱衝擊，卻因九月初SK海力士無錫大火影響讓平均銷售單價(average sel
ling price)持續上漲，2013年DRAM總營收可望較去年大幅成長四成，產業中僅存下來的三大巨頭都享受到長
久未見的豐碩獲利。
從全球DRAM廠自有品牌記憶體市占比例來觀察，三星半導體與SK海力士半導體各為37%與29%，兩者差距再
度拉開，其重點在於三星半導體策略性的提高其標準型記憶體比重，除了想重回該領域的領導地位外，覬覦
其豐碩獲利亦是主因之一。長遠來看，三星半導體對其內部的產能調配將會更有彈性，除了該自有三星品牌
的智慧型手機將會向其他供應商購買行動式記憶體之外，亦傳出決議在Line16小幅增加DRAM產能，雖然規模
僅約當每月3萬片，但對於轉進25奈米製程所造成的良率損失也能夠產生立竿見影的效果。
SK海力士方面，由於第三季標準型記憶體價格漲幅較上季縮小，相較於前季的40.7%的高成長，第三季成長
僅約3.7%。但展望第四季，受到無錫廠大火影響，標準型記憶體產出受到嚴重衝擊，產品組合比重從原先的
35%驟減至25%。至今無錫產能回復狀況仍不明朗下，將是牽動2014年價格走勢最重要的關鍵因素。
在本次第三季營收市占報告中，TrendForce首度將美光與日商爾必達合併計算，綜合市占為26.2%，新美光
集團與SK海力士的差異僅有2%，以月產能來看更已經穩居產業第二，寡占市場結構首度在第三季隱約成型。
若站在標準型記憶體的角度做觀察，新美光集團的產出比例將占總產業的三分之一強，對該市場的影響力將
大幅增加。
台系廠部分，南科(2408)由於自第三季停止從華亞科取得晶圓，加上積極轉進30奈米製程時所造成的產能
降低，以及標準型記憶體在南科比重已低，無法從SK海力士無錫廠火災直接受惠，讓南科第三季營收小幅下
滑8.3%。力晶(5346)則在第三季營收大幅躍進約75%，其原因在於力晶在今年第二季的五月才重新啟動P3廠記
憶體代工業務，基期較低下讓營收有如此突出的表現，其他如代工費用的調漲及承接毛利較高的產品代工亦
是營收成長主因之一。華邦電(2344)則受到第三季客戶功能型手機出貨逐步降低，導致小容量行動式記憶體
銷售不佳，營收小幅下滑5.2%，但隨著九月SK海力士無錫火災影響，利基型記憶體價格上漲將對第四季營收
有正面助益。
從市場面來觀察，TrendForce認為，隨著九月SK海力士無錫廠大火後，正牽動著市場三強對於第四季甚至
2014年的策略規劃，如三星提升DRAM的投片比重、SK海力士傾全力回復無錫廠產能，新美光集團將20奈米製
程列入首要目標；雖然DRAM產業走入寡占型態，穩定價格與獲利是必然的走向，但三強間的競爭仍不會停歇
。
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資訊來源:時報資訊公司
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