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Crossbar的RRAM不只在2平分公分的IC內可儲存1TB的資料，它還能夠進行3D堆疊，使其透過單一晶片就能提供數TB的儲存容量。Crossbar計畫將相關技術授權給第三方業者，估計真正採用該技術的產品會在2～3年內問市。
專門研發非揮發性電阻式記憶體（non-volatile resistive RAM，RRAM）的Crossbar公布該公司的技術成果，指出新一代的非揮發性記憶體可於2平方公分的IC上儲存1TB的資料，且已在商業化的工廠內發展出可運作的Crossbar陣列記憶體，已準備好要展開第一階段的量產。
Crossbar表示，與現有最先進的NAND快閃記憶體相較，Crossbar的技術可帶來20倍的寫入效能，20倍的省電能力，只有一半大小的晶粒則有10倍的續航力，可望推動從消費者、企業、行動或連網裝置等電子產品的新一波創新。
Crossbar執行長George Minassian指出，非揮發性記憶體為電子市場的核心，現已非常普及，被應用在平板電腦、隨身碟及企業儲存系統中，但在進入更小的製造程序時遇到了瓶頸。而他們所開發的Crossbar陣列則證明了RRAM技術並不難生產，而且已準備商業化，這將是非揮發性記憶體產業的分水嶺。
Crossbar的RRAM不只在2平分公分的IC內可儲存1TB的資料，它還能夠進行3D堆疊，使其透過單一晶片就能提供數TB的儲存容量。
市場認為Crossbar RRAM非常適合今日的行動裝置，除了它的小尺寸與高效能等特性外，它還可大幅延長電池續航力。Crossbar則說該公司的RRAM技術適用於消費者電子裝置、企業儲存或雲端運算、物聯網應用、穿戴式運算裝置及安全支付等。
根據外電報導，Crossbar RRAM的原型是在台積電廠內打造，使用既有的材料，而且製造成本比NAND快閃記憶體便宜，因此推測售價也將低於NAND快閃記憶體；Crossbar計畫將相關技術授權給第三方業者，估計真正採用該技術的產品會在2～3年內問世。（編譯/陳曉莉）
來源 ithome
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2013/08/07 By 游幃翔 |
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