Samsung 量產 4GB HBM2, 8GB版本年內推出

Samsung 最近宣布開始量產4GB第二代 HBM 堆棧式記憶體（HBM2），
容量從第一代的1GB提升到了4GB，頻寬也翻倍到256GB/s，
今年 AMD、NVIDIA 的旗艦顯卡都會用得上。

                               
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Samsung 去年10月份率先推出了3D TSV，矽穿孔的128GB DDR4 RDIMM，
現在的 HBM2 同樣使用了 TSV 製程，但要比之前的 DDR4 更複雜。
從 Samsung 公佈的架構圖來看，HBM2 記憶體是 4-Hi 堆棧，
也就是每個 HBM 上堆棧了4層核心，每個容量8Gb，總容量4GB。
由於每層核心之間都要通過 TSV 打孔連接，所以單個 8Gb HBM2 核心上打了5000個孔，
是 8G​​b DDR4 晶片的36倍多，這樣可以大大提升數據傳輸性能。

HBM 與 HBM2 的差別，除了容量更高之外，HBM2 的速度也從等效1Gbps提升到了2Gbps，
因此頻寬從之前的128GB/s翻倍到了256GB/s，目前4Gb GDDR5顆粒的頻寬是36GB/s，HBM2 則有7倍之多。
另外 Samsung 表示 4GB HBM2 的每瓦特帶寬是 4Gb GDDR5 的兩倍，而且還支持ECC校驗功能。

4GB HBM2 只是 Samsung 的第一步，今年內還會推出8GB容量的版本，屆時應該會使用8-Hi堆棧了。
Samsung 表示 8GB HBM2 顆粒相比傳統記憶體最多可以節省95%的PCB面積。







來源：http://www.expreview.com/45226.html