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標題: Samsung Galaxy S III性能速測:一個字「快」 [打印本頁]

作者: Amy12411    時間: 2012-5-5 00:18
標題: Samsung Galaxy S III性能速測:一個字「快」
Samsung 正式發佈Galaxy S III後,齊聚倫敦的全球多家媒體也立即進行了部分測試。正如發佈會之前所猜測的, Samsung Galaxy S III採用32nm HKMG LP工藝製造的Exynos 4412四核心處理器,最高頻率為1.4GHz(節能時最低頻率為200MHz)。和高通的異步核心類似,每個核心都擁有自己的獨立電壓/頻率調整模式,可進一步降低功耗。
圖形方面, Samsung Galaxy S III依然使用和Galaxy S II相同的ARM Mali-400 MP4,只不過在頻率上有很大提高。內存和其餘Android手機類似為雙通道1GB LPDDR2,下面就讓我們通過簡單的測試看看Exynos 4412的能力到底如何,對比對象主要包括 Apple iPhone 4S,HTC One X AT&T版(採用高通S4),One X全球版(採用Tegra 3):
理論計算性能:
這裡使用的是Linpack單線程/多線程測試,具體結果如下:
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