相變化記憶體PCM比快閃記憶體快70倍、寫入次數多近1千萬次 近年因行動裝置和物聯網快速成長，如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技，有望成為新一代的資料處理科技，電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。 根據《TheVerge》報導，這項技術叫「相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）」，透過改變 PCM 上硫化物型態所產生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發性（non-volatility）等優勢，一直被視為儲存科技的潛力股，但在過去受限於成本過高和儲存有限，一個儲存單位（cell）僅能存 1bit，難以應用於電腦和行動裝置上，僅被用在藍光光碟。現在，IBM 研發出 PCM 每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響，突破儲存密度的限制可讓 PCM 的成本遠低於 DRAM，大幅度提升 PCM 實際應用於商業的可能。 不像 DRAM 在中斷電力後會失去資料，PCM 和快閃記憶體一樣，在失去電力的情況下也可暫存資料。跟快閃記憶體相比，PCM 可寫入至少 1 千萬次，快閃記憶體平均僅能寫入約 3,000 次。此外，根據《Engadget》報導，PCM 的讀取速度少於 1 微秒，快閃記憶體則約 70 微秒。這些特性讓 PCM 有望成為改變資料處理的革新技術。 PCM 的技術革新對電腦和手機都有重要影響力。根據 IBM 的說法，PCM 可用來取代目前 RAM 在桌機的應用，此外，透過使用 PCM 和快閃記憶體的混合形式，也可大幅提升行動裝置的速度。「例如，手機作業系統可儲存於 PCM，幾秒內就可開機。從企業端來看，可將資料庫儲存在 PCM，加快時間至上的線上服務，例如金融交易。」IBM 新聞稿指出。雲端人工智慧應用也可受惠於 PCM，IBM 表示：「使用大量資料庫的機器學習演算法，可在每次重複讀取資料時減少延遲時間，加快進展速度。」 文章出處：科技新報 【免責聲明】 一、摘錄自網路文章，好文純分享非營利，如有不妥敬請告知。 二、若有侵權，敬請立即告知，本人將立刻做出刪除之動作。 |
