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標題: 華亞科後市，大摩、巴克萊多空不一 [打印本頁]

作者: lcctno 時間: 2013-11-26 10:23
標題: 華亞科後市，大摩、巴克萊多空不一
2013/11/26 10:20 《外資》華亞科後市，大摩、巴克萊多空不一

【時報記者沈培華台北報導】華亞科(3474)近期股價小幅拉回。外資對其看法多空不一。大摩(Morgan Stan
ley)認為華亞科直接進軍20奈米是一場豪賭，將成為未來的風險。巴克萊(Barclays)則認為，記憶體價格將
在明年上半年修正但不致出現硬著陸，且更有利於長期發展。
  華亞科將跳過25奈米製程，計畫明年下半年導入20奈米，摩根士丹利(Morgan Stanley)指出，華亞科擬在
未來3年內投入300億元提升至20奈米製程，這筆資金與技術發展的豪賭，將成為華亞科未來營運的重大風險
。再加上DRAM短缺狀況可能在近期解決，大摩給予華亞科「中立」評等，目標價21元。

  大摩表示，預期在25奈米製程成為主流以後，DRAM的價格將下滑10-20%；華亞科跳過25奈米製程，在2015
年量產20奈米產品之前，成本結構與產出效率將不會有任何改變。隨著25奈米製程成熟而來的價格壓力，可
能在明年導致華亞科股價被市場重新評價。
  就近期DRAM市況來看，大摩指出，在SK Hynix無錫廠火災之後，全球DRAM大廠均展開一波產能調整，力求
補足供給缺口，再加上SK Hynix部分產能恢復，預期明年首季全球DRAM晶圓產能將季增6%，因PC需求仍疲弱
，缺貨的狀況將一併消除。
  巴克萊(Barclays)則仍看好華亞科後市。指出DRAM大廠海力士(SK Hynix)無錫廠恢復全產能的進度超乎預
期，DRAM的產能將不再吃緊，預期整體記憶體價格將在明年上半年浮現修正趨勢。惟巴克萊強調，記憶體價
格並不致出現硬著陸(hard landing)，反之更趨健康，將有利於記憶體廠穩健復甦與永續發展。
  巴克萊指出，海力士恢復產能的進度較預期來得快了2個月，無論在DRAM或NAND Flash的供應均將恢復既有
水準，預估明年上半年起DRAM與NAND Flash報價將浮現溫和修正。一旦海力士產能重新啟動，DRAM與NAND F
lash供給吃緊狀況將不復見，標準型DRAM價格可能出現20%的修正，NAND Flash供給亦將轉趨寬鬆，價格要到
明年下半年才會穩定下來。
  巴克萊仍強調，DRAM不會發生硬著陸，目前DRAM庫存水位低、再加上大廠節制新產能，長期而言DRAM價格
不再大起大落；看好華亞科在2013-15年間連續3年獲利的穩健走勢，重申對華亞科的「加碼」評等，以及33
元的目標價。

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資訊來源:時報資訊公司

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