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Galaxy S4
拿掉後蓋後可看到電池和主板
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主板正面
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主板背面
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主板背面元件
三星自己的東西當然少不了，而且還都佔據著核心地位，包括Exynos 5410 N5VA101應用處理器 (在內存下邊)、KMV3W000LM-B310 16GB NAND閃存、K3QF2F200C-XGCE 2GB DRAM內存、S2MPS11電源管理單元。
這個電源管理模塊是首次見到，其它比較新的還有Intel PMB9820/PMB5745基帶處理器、Synaptics S5000B觸摸控制器、I274 U311(可能是Bosch BMP180或者STM 331壓力傳感器)。
其它還有：博通BCM2079 NFC通信芯片、兩個Knowles S1039麥克風芯片、Silicon Image SI8240BO發射器、Skyworks SKY77615-11功率放大器、Murata SWC GKF48天線切換模塊、Maxim MAX77803。
I274 U311
博通BCM2079
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Knowles S1039×2
Exynos 5410八核處理器自然是我們最關心的，不過ChipWorks表示還在對這顆芯片進行深入觀察，具體的內核照片將在稍候公佈，現在只放出了內核外表面、金屬層的照片，以及內核的局部，所以還看不到八個核心的具體情況。
該處理器基於ARM big.LITTLE架構設計，整合了四個Cortex-A15 1.8GHz核心與四個Cortex-A7 1.2GHz核心，擁有32/64位多層AHB/AXI總線、TrustZone安全模塊、NEON SIMD引擎、雙通道DDR2/LPDDR2/LPDDR3/DDR3L內存控制器、PowerVR SGX 544MP3 533MHz圖形核心、三屏輸出控制器，支持NAND、moviNAND、eSD 3.0、USB 3.0、eGPS、OpenGL ES 2.0、OpenCL、HDMI 1.4。
製造工藝是三星28nm LP，經過測量芯片面積為11.37×10.88＝123.7平方毫米，內核面積為11.28×10.73＝121.0平方毫米。
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Exynos 5410
金屬層
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內核局部的標記
再來看看攝像頭。後置主攝像頭的主傳感器是索尼IMX135背照式，1300萬像素，OPPO Find 5 X909用的也是它。
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後置攝像頭
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後置攝像頭背面
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索尼IMX135傳感器內核局部照片
前置攝像頭使用了三星自己的S5K6B2YX03 200萬像素傳感器，像素尺寸1.34微米。
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前置攝像頭
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三星傳感器內核局部照片
來源:http://news.mydrivers.com/1/261/261575.htm
【第二屆 聯合萬鑽活動】快開跑囉
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【第二屆 聯合萬鑽活動】 正式版
【第二屆 聯合萬鑽活動】參賽者報名處，截止日期2013/4/30
資訊已在3/3號更新如果有需要請點此
作者: lamlam9898 時間: 2013-4-26 20:30
即是s4的cpu在sim卡和sd卡的背面
作者: c4788500 時間: 2013-4-26 22:39
唉~
在我這個外行人眼中
這，，，只不過是一塊板子，實在看不出跟其他手機有什麼不一樣啊~
作者: zzz851031 時間: 2013-4-26 22:48
S4到底是1.8GHz跟1.2GHz
還是1.6GHz跟1.2GHz核心= =
作者: chardman 時間: 2013-4-26 23:02
看來CPU熱量真的不低，居然要靠SIM與SD插槽的金屬外框架來做被動散熱，
幸好SIM與SD的工作溫度範圍夠大，還不至於導致晶片故障！
不過有一點稍微有些擔心，SIM與SD卡槽內部的金屬簧片接點，
若配上台灣高濕度的環境，以及工作溫度的提升，勢必會有氧化的問題產生，
不知道這些接點表面，三星是否有針對氧化的問題，做好表面抗氧化處理，
如果沒有作抗氧化鍍膜，不知道接點失效的周期能有多久。
作者: nhpss930094 時間: 2013-4-30 21:18
我拿S4即將邁入第四天!
都沒有發熱的問題ㄋ!!
我沒開省電模式!
遊戲跑30分鐘!溫度只有39度~~
作者: chardman 時間: 2013-4-30 21:26
可能跟運作時所觸發的核心是高效能或者是省電模式有關，
因為我用辦公室同事的S4下去試玩N.O.V.A. 3，
沒開省電模式是會在螢幕中上區域有發現發熱現象，
雖不至於燙手，不過明顯比S3溫升程度高一點，
在開了省電模式後，就沒這現象，但遊戲畫面流暢度仍然很OK，
這核心調配與效能分配的設計，可能需要下一版的更新韌體加以提升效率。
作者: lee01245722 時間: 2013-5-1 22:31
S4鏡頭原來是SONY，不過處理器要是用四核1.9GHZ版的應該比較不會發燙而且效能或許更好，就看有沒有美版S4能拿來比比看效能及溫度。
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