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2012-8-15 12:05 上傳
香港時間8月15日消息，ARM、GlobalFoundries聯合宣布達成多年合作協議，將會攜手致力於ARM SoC處理器在GlobalFoundries 20nm工藝和FinFET技術上的優化製造，同時還會在Mali圖形核心方面加強合作。
做為協議的一部分，ARM會開發一整套的ARM Artisan物理IP，包括標準的單元庫、內存編譯器、POP IP方案，可以為智能手機、平板機、超輕薄筆記本等移動設備帶來全新的系統性能和能耗優化。
在此之前，ARM、GlobalFoundries已經在Cortex-A系列處理器上進行了多年合作，包括多次展示28nm工藝的性能和能效收益，以及正在紐約州新工廠進行的20nm測試芯片。
GlobalFoundries 20nm-LPM工藝號稱可以比28nm工藝提升最多40％的性能，同時實現柵極密度的翻番，但還不清楚什麼時候能夠投入量產。 GlobalFoundries這兩年的表現有些令人失望，良品率和產能都坑苦了AMD，希望隨著紐約州新工廠的逐步完工，20nm上能有所起色。
FinFET是一種新的三維晶體管技術，是實現半導體工藝深入突破的關鍵之一，Intel Tri-Gat三柵極技術就是它的一個子集。該技術的研發已經進行了長達十年，不過最近才開始投入實用。除了已經實現的Intel，GlobalFoundries、台積電也都會陸續採用。
來源 香港新浪科技
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